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中國杰出微電子科學(xué)家吳德馨院士逝世

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中國杰出微電子科學(xué)家吳德馨院士逝世

2026年03月24日 22:15 來源:中國新聞網(wǎng)
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  中新社北京3月24日電 中國科學(xué)院微電子研究所24日發(fā)布訃告:中國科學(xué)院院士、中國杰出的微電子科學(xué)家吳德馨因病醫(yī)治無效,于3月23日下午在北京逝世,享年90歲。

  吳德馨1936年12月生于河北樂亭,1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無線電電子工程系,成為清華大學(xué)第一批半導(dǎo)體專業(yè)畢業(yè)生。她畢業(yè)后到中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作,1986年調(diào)入中國科學(xué)院微電子研究所前身中國科學(xué)院微電子中心工作。1991年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。

  吳德馨是中國半導(dǎo)體與集成電路研究的開拓者之一,為國家微電子事業(yè)發(fā)展作出了卓越貢獻。

  在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作期間,她作為課題負(fù)責(zé)人承擔(dān)了新中國成立初期“12年科學(xué)規(guī)劃”中的“平面型高速開關(guān)晶體管的研究”,獨立自主解決了提高開關(guān)速度的關(guān)鍵問題,開關(guān)速度達到當(dāng)時國際同類產(chǎn)品水平。該技術(shù)打破了西方國家對中國的封鎖,為“兩彈一星”配套的“109丙”計算機提供了核心器件。

  在中國科學(xué)院微電子中心,吳德馨成功開發(fā)出雙層多晶硅和差值氧化工藝,打破中國大規(guī)模集成電路成品率長期低下的局面,為中國集成電路工業(yè)生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。她領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)出0.8微米CMOS全套工藝,科研成果和產(chǎn)品開發(fā)等效益不斷增加。

  吳德馨先后榮獲國家科技進步獎二等獎、中國科學(xué)院科技進步一等獎、何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進步獎等。(完)

【編輯:田博群】
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